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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
比较
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
总分
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
总分
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
41
左右 -95% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
11.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.2
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
21
读取速度,GB/s
11.6
16.7
写入速度,GB/s
7.3
10.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1438
2691
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
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