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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
比较
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
总分
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
总分
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
37
41
左右 -11% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.7
11.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
37
读取速度,GB/s
11.6
14.7
写入速度,GB/s
7.3
11.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1438
2946
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
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Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
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