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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
比较
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
总分
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
总分
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
18
41
左右 -128% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.1
11.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.9
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
18
读取速度,GB/s
11.6
21.1
写入速度,GB/s
7.3
16.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1438
3971
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
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