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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
49
左右 -58% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.6
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
31
读取速度,GB/s
10.2
15.6
写入速度,GB/s
8.1
12.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
2316
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP698651-154-MCN 8GB
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Team Group Inc. 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
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