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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
比较
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
总分
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
总分
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
41
左右 -32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.9
11.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
31
读取速度,GB/s
11.6
19.9
写入速度,GB/s
7.3
14.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1438
3357
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965596-035.B00G 4GB
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Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
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G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
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