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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
比较
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
总分
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
总分
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
41
左右 -32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
11.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
31
读取速度,GB/s
11.6
17.3
写入速度,GB/s
7.3
13.9
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1438
3359
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
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