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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
比较
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
总分
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
总分
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
41
左右 -52% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
11.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
27
读取速度,GB/s
11.6
18.2
写入速度,GB/s
7.3
14.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1438
3510
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
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Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Transcend Information TS512MSK64V3H 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
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