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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
比较
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
总分
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
总分
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
41
左右 -64% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.2
11.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
25
读取速度,GB/s
11.6
15.2
写入速度,GB/s
7.3
12.0
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1438
2740
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
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