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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
比较
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
总分
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
总分
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
41
左右 -46% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.1
11.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
28
读取速度,GB/s
11.6
17.1
写入速度,GB/s
7.3
12.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1438
3467
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
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