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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
比较
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
总分
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
总分
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
41
左右 -52% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.4
11.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.9
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
27
读取速度,GB/s
11.6
19.4
写入速度,GB/s
7.3
16.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1438
3929
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
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Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
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Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
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