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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
比较
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Kingston 9965596-002.B00G 4GB
总分
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
总分
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
11.6
9.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
41
左右 -21% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.5
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
34
读取速度,GB/s
11.6
9.6
写入速度,GB/s
7.3
8.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1438
2346
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
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Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
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