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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
比较
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Kingston 9965600-011.A01G 16GB
总分
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
总分
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
46
左右 11% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.6
10.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.1
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
46
读取速度,GB/s
11.6
10.7
写入速度,GB/s
7.3
8.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1438
2239
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
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G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
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