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SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
比较
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB vs Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
总分
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
总分
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14
13.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
37
左右 -48% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.1
9.3
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR5
PassMark中的延时,ns
37
25
读取速度,GB/s
14.0
13.4
写入速度,GB/s
9.3
12.1
内存带宽,mbps
19200
19200
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
no data / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2327
3419
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB RAM的比较
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
A-DATA Technology AM1L16BC8R2-B1NS 8GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Kingston 99U5471-066.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
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