Confronto tra le RAM SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB vs Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB vs Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Punteggio complessivo

SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB

Motivi da considerare
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

25 37

Intorno -48% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

12.1 9.3

Valore medio nei test

Elenco completo delle specifiche tecniche

SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
Temporizzazioni / Velocità di clock

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz no data / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2327 3419

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns