RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Porównaj
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB vs Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Wynik ogólny
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14
13.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
37
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
9.3
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR5
Opóźnienie w PassMark, ns
37
25
Prędkość odczytu, GB/s
14.0
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.3
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
no data / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2327
3419
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link