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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Confronto
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Punteggio complessivo
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
86
Intorno 56% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
14.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
21300
Intorno 1.2% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Segnala un bug
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
86
Velocità di lettura, GB/s
15.5
14.3
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
8.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
21300
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2283
1658
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB Confronto tra le RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
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