Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Средняя оценка

Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB

Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

38 86

Около 56% меньшая задержка
Выше скорость чтения

15.5 14.3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.0 8.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 21300

Около 1.2% выше полоса пропускания

Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB

Причины выбрать
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB

Сообщить об ошибке

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

38 86
Скорость чтения, Гб/сек

15.5 14.3
Скорость записи, Гб/сек

12.0 8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

25600 21300

Other

Описание

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2283 1658

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB

модули RAM

Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB

Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB

Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB

Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB

Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB

модули RAM

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Micron Technology AFLD416EH1P 16GB

Micron Technology AFLD416EH1P 16GB

модули RAM

Avant Technology F641GU67F9333G 8GB

Avant Technology F641GU67F9333G 8GB

Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB

Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB

модули RAM

Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB

Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB

Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB

Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB

модули RAM

Avant Technology F641GU67F9333G 8GB

Avant Technology F641GU67F9333G 8GB

King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB

King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB

модули RAM

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB

модули RAM

SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB

SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB

G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB

G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB

модули RAM

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Kingston 9905702-400.A00G 8GB

Kingston 9905702-400.A00G 8GB

модули RAM

Kingston KF560C40-16 16GB

Kingston KF560C40-16 16GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB

модули RAM

Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB

Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB

модули RAM