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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
比较
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
总分
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
总分
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
11.6
9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.3
7.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
41
左右 -8% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
38
读取速度,GB/s
11.6
9.0
写入速度,GB/s
7.3
7.1
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1438
1546
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
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