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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
比较
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
总分
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
总分
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
48
左右 15% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.5
11.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.3
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
48
读取速度,GB/s
11.6
17.5
写入速度,GB/s
7.3
8.3
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1438
2196
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
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