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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
比较
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
总分
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
总分
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
37
左右 3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.8
14.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
11.9
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
37
读取速度,GB/s
14.8
14.7
写入速度,GB/s
8.7
11.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2481
2946
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD R538G1601U2S 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
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