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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
比较
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
总分
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
40
41
左右 -3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.4
11.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.8
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
40
读取速度,GB/s
11.6
13.4
写入速度,GB/s
7.3
10.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1438
2495
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
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Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
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