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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
比较
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
总分
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
总分
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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需要考虑的原因
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
19
41
左右 -116% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.8
11.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
19
读取速度,GB/s
11.6
19.8
写入速度,GB/s
7.3
15.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1438
3370
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB RAM的比较
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Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
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