RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB

总分
star star star star star
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

总分
star star star star star
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB

Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB

差异 规格 评论

差异

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB 需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
报告一个错误
  • 更快的写入速度，GB/s
    7.3 left arrow 5.5
    测试中的平均数值
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB 需要考虑的原因
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    26 left arrow 41
    左右 -58% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    11.7 left arrow 11.6
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 10600
    左右 1.6 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    41 left arrow 26
  • 读取速度，GB/s
    11.6 left arrow 11.7
  • 写入速度，GB/s
    7.3 left arrow 5.5
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, , CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1438 left arrow 1771

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB RAM的比较

Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB

Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB RAM的比较

Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
内存RAM
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
内存RAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
内存RAM
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
内存RAM
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
内存RAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
内存RAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
内存RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
内存RAM
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
内存RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
内存RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
内存RAM
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
内存RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
内存RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
内存RAM