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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
比较
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
总分
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
总分
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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需要考虑的原因
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
41
左右 -8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.4
11.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.3
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
38
读取速度,GB/s
11.6
13.4
写入速度,GB/s
7.3
9.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1438
2298
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
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