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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
比较
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
总分
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
总分
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.3
6.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
41
左右 -71% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.8
11.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
24
读取速度,GB/s
11.6
13.8
写入速度,GB/s
7.3
6.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1438
1983
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
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