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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
比较
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
总分
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
总分
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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需要考虑的原因
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
41
左右 -78% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
11.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.4
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
23
读取速度,GB/s
11.6
16.4
写入速度,GB/s
7.3
14.4
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1438
2978
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
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