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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
比较
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
总分
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
总分
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
41
左右 -71% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
11.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
24
读取速度,GB/s
11.6
16.9
写入速度,GB/s
7.3
14.5
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1438
3095
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
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Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
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