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SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
比较
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
总分
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
总分
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
76
左右 43% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.5
10.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.3
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
76
读取速度,GB/s
10.7
13.5
写入速度,GB/s
6.8
7.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1314
1587
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
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