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SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
比较
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
总分
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
总分
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
43
左右 -43% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.6
10.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.4
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
30
读取速度,GB/s
10.7
15.6
写入速度,GB/s
6.8
11.4
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1314
2941
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
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