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SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
比较
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
总分
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
43
左右 -54% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
10.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
28
读取速度,GB/s
10.7
17.3
写入速度,GB/s
6.8
13.4
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1314
3299
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB RAM的比较
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
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Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
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