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SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
比较
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
总分
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
19
43
左右 -126% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.9
10.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
19
读取速度,GB/s
10.7
19.9
写入速度,GB/s
6.8
15.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1314
3359
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
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Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
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