RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
比较
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
总分
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
总分
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
46
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
11.6
10.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.4
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
46
读取速度,GB/s
10.7
11.6
写入速度,GB/s
6.8
10.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1314
2469
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB RAM的比较
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link