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SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
比较
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
总分
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
37
43
左右 -16% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14
10.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.7
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
37
读取速度,GB/s
10.7
14.0
写入速度,GB/s
6.8
9.7
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1314
2277
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
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