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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
比较
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
总分
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
总分
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
38
左右 -27% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
6.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
30
读取速度,GB/s
10.9
17.4
写入速度,GB/s
6.6
14.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1406
3579
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
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Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
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