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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
比较
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
总分
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
43
左右 19% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.7
11.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.6
9.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
43
读取速度,GB/s
13.7
11.3
写入速度,GB/s
9.6
9.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2312
2098
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB RAM的比较
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
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