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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Kingston 9965596-023.B01G 8GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
38
左右 32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.8
8.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.0
7.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
38
读取速度,GB/s
12.8
8.2
写入速度,GB/s
9.0
7.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
1824
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
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