RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
38
Wokół strony 32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.8
8.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
7.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
38
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
8.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
1824
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link