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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
比较
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
总分
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
总分
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
38
左右 -23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.1
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
6.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
31
读取速度,GB/s
10.9
17.1
写入速度,GB/s
6.6
12.9
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1406
3222
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Kingston RB16D3LS1KBG/4G 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
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