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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
比较
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
总分
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
总分
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
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需要考虑的原因
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
38
左右 -12% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.7
6.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
34
读取速度,GB/s
10.9
17.3
写入速度,GB/s
6.6
14.7
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1406
3145
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
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