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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
比较
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
总分
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
总分
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
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需要考虑的原因
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
38
左右 -23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.7
6.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
31
读取速度,GB/s
10.9
17.4
写入速度,GB/s
6.6
13.7
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1406
3208
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB RAM的比较
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
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