RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Comparez
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Note globale
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Note globale
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
38
Autour de -23% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.4
10.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.7
6.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
31
Vitesse de lecture, GB/s
10.9
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
6.6
13.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1406
3208
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link