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SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Samsung M471B1G73CB0-CK0 8GB
比较
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB vs Samsung M471B1G73CB0-CK0 8GB
总分
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
总分
Samsung M471B1G73CB0-CK0 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.6
12.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73CB0-CK0 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
39
左右 -34% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.5
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
12800
10600
左右 1.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Samsung M471B1G73CB0-CK0 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
39
29
读取速度,GB/s
13.6
12.4
写入速度,GB/s
7.8
8.5
内存带宽,mbps
10600
12800
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
1940
2237
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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
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