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Samsung M471B1G73CB0-CK0 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
比较
Samsung M471B1G73CB0-CK0 8GB vs Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
总分
Samsung M471B1G73CB0-CK0 8GB
总分
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73CB0-CK0 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
41
左右 29% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.3
12.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.0
8.5
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73CB0-CK0 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
29
41
读取速度,GB/s
12.4
13.3
写入速度,GB/s
8.5
9.0
内存带宽,mbps
12800
12800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
2237
2016
Samsung M471B1G73CB0-CK0 8GB RAM的比较
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB RAM的比较
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
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Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Samsung M471B1G73CB0-CK0 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
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