RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471B1G73CB0-CK0 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Samsung M471B1G73CB0-CK0 8GB против Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M471B1G73CB0-CK0 8GB

Samsung M471B1G73CB0-CK0 8GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B1G73CB0-CK0 8GB Причины выбрать
Samsung M471B1G73CB0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    29 left arrow 41
    Около 29% меньшая задержка
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Причины выбрать
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    13.3 left arrow 12.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    9.0 left arrow 8.5
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M471B1G73CB0-CK0 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    29 left arrow 41
  • Скорость чтения, Гб/сек
    12.4 left arrow 13.3
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.5 left arrow 9.0
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 12800
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2237 left arrow 2016

Samsung M471B1G73CB0-CK0 8GB Сравнения RAM

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Сравнения RAM

Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

AMD AE34G2139U2 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
модули RAM
Samsung M471B1G73CB0-CK0 8GB
Samsung M471B1G73CB0-CK0 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
модули RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
модули RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
модули RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
модули RAM
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
модули RAM
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
модули RAM
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
модули RAM
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
модули RAM
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
модули RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
модули RAM
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
модули RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
модули RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
модули RAM