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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
比较
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
总分
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
总分
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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需要考虑的原因
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
43
左右 -43% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.6
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
30
读取速度,GB/s
12.3
16.6
写入速度,GB/s
8.1
13.6
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1706
3155
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB RAM的比较
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
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