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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
比较
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
总分
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
总分
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
20
43
左右 -115% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.2
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
20
读取速度,GB/s
12.3
19.2
写入速度,GB/s
8.1
14.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1706
3326
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
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