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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
比较
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
总分
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
总分
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
43
左右 -34% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.5
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
32
读取速度,GB/s
12.3
17.5
写入速度,GB/s
8.1
12.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1706
3103
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
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