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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
比较
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
总分
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
总分
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
43
左右 -54% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
28
读取速度,GB/s
12.3
17.4
写入速度,GB/s
8.1
13.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1706
3437
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8HS5 2GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Mushkin 994083 4GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
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