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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
比较
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
总分
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
总分
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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需要考虑的原因
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
43
左右 -87% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
23
读取速度,GB/s
12.3
17.4
写入速度,GB/s
8.1
13.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1706
3039
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
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