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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
比较
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
总分
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
总分
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
43
左右 -43% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
30
读取速度,GB/s
12.3
17.0
写入速度,GB/s
8.1
13.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1706
3117
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Micron Technology 16HTF25664AY-800E1 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.C16FH 2GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
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